سازنده

هایکسمی
سامسونگ
هایک سمی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
هایک سمی

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
هایک سمی

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe 3.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
256 گیگابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
2280MB/s

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
1800MB/s

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
-

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
TBW :100TB
پشتیبانی از 3D NAND
توان : 1.6W
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه