سازنده

هایکسمی
سامسونگ
هایک سمی
لکسار

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
هایک سمی
لکسار

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
هایک سمی
لکسار

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
هایک سمی
لکسار

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe 3.0
PCIe Gen3x4

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
256 گیگابایت
512 گیگابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
2280MB/s
3500 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
1800MB/s
-

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
--

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
TBW :100TB
پشتیبانی از 3D NAND
توان : 1.6W
پشتیبانی از NVMe 1.4
مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND
مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms
مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه