سازنده

هایکسمی
سامسونگ
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

هایکسمی
سامسونگ
ام اس آی
سن دیسک

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe Gen 4 x 4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe 4.0
PCIe Gen 4.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
1 ترابایت
1 ترابایت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

7100MB/s
5000 مگابیت بر ثانیه
3300 مگابایت بر ثانیه
5150 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

6350MB/s
4200 مگابیت بر ثانیه
3000 مگابایت بر ثانیه
4000 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

High-end Controller
In-House Controller
PHISON E19T
-

سایر مشخصات

پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
TBW : 1200
پشتیبانی از 3D NAND
-
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه