مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe Gen 4 x 4	PCIe Gen 4 x 4	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen4x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	7100MB/s	5000 مگابیت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	7200 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	6350MB/s	4200 مگابیت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	6200 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	High-end Controller	-	In-House Controller	-
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	ترابایت نوشته شده : 700TBW خواندن تصادفی : 650K(IOPS) سازگار با سیستم عامل : Windows ، Linux شوک : 1,500G/0.5ms لرزش : 80Hz~2,000Hz/20G نوشتن تصادفی : 650K (IOPS)

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Future Lite با ظرفیت 1 ترابایت