مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe Gen 4 x 4	PCIe Gen 4 x 4	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCI-Express 3.0x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	7100MB/s	5000 مگابیت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	6350MB/s	4200 مگابیت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	3250 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	High-end Controller	-	In-House Controller	-
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	گواهینامه : ROHS مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه :1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Future Lite با ظرفیت 1 ترابایت