مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe Gen 4 x 4	PCIe Gen 4 x 4	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	1 ترابایت	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	7100MB/s	5000 مگابیت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	2400 مگابایت برثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	6350MB/s	4200 مگابیت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	High-end Controller	-	In-House Controller	RTS5766DL
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	TBW : 520TB مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Future Lite با ظرفیت 1 ترابایت