مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe Gen 4 x 4	PCIe Gen 4 x 4	PCIe Gen 4.0	PCIe Gen3x4

ظرفیت	1 ترابایت	1 ترابایت	500 گیگابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	7100MB/s	7450 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	6350MB/s	6900 مگابایت بر ثانیه	4000 مگابایت بر ثانیه	-
کنترل کننده	High-end Controller	Samsung in-house Controller	-	-
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION) پشتیبانی از S.M.A.R.T میانگین توان مصرفی : 7.8 وات میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms	-	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Future Lite با ظرفیت 1 ترابایت