مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	2.5 اینچ	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe Gen 4 x 4	SATA 3.0	PCIe Gen3x4	PCIe® 4.0 x4 / 5.0

ظرفیت	1 ترابایت	256 گیگابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	7100MB/s	520 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	6350MB/s	450 مگابایت بر ثانیه	-	4200 مگابیت بر ثانیه
کنترل کننده	High-end Controller	-	-	In-House Controller
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	TBW : 1120TB پشتیبانی از 3D NAND مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Future Lite با ظرفیت 1 ترابایت