سازنده

هایک سمی
پی ان وای
سامسونگ
کِلِو

سازنده

هایک سمی
پی ان وای
سامسونگ
کِلِو

سازنده

هایک سمی
پی ان وای
سامسونگ
کِلِو

سازنده

هایک سمی
پی ان وای
سامسونگ
کِلِو

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
M.2
M.2

نوع رابط

PCIe 3.0
PCIe Gen3x4
PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe Gen3x4

مشخصات فنی

ظرفیت

256 گیگابایت
500 گیگابایت
1 ترابایت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

2280MB/s
2200 مگابایت بر ثانیه
5000 مگابیت بر ثانیه
3200 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

1800MB/s
1750 مگابایت برثانیه
4200 مگابیت بر ثانیه
2000 مگابایت بر ثانیه

سایر مشخصات

TBW :100TB
پشتیبانی از 3D NAND
توان : 1.6W
-Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
3D NAND
افزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLC
دارای تکنولوژی S.M.A.R.T
دارای فناوری SLC Caching
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه