مقایسه کالاها

ظرفیت	256 گیگابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	450 مگابایت بر ثانیه	-	4200 مگابیت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	پشتیبانی از NVMe 1.3 حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (480TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی کینگ مکس مدل SIV32 با ظرفیت 256 گیگابایت