مقایسه کالاها

ظرفیت	256 گیگابایت	1 ترابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	540 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	450 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر ضربه
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	پشتیبانی از NVMe 1.4 مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی کینگ مکس مدل SIV32 با ظرفیت 256 گیگابایت