مقایسه کالاها

ظرفیت	512 گیگابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	480 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	-	6900 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION) پشتیبانی از S.M.A.R.T میانگین توان مصرفی : 7.8 وات میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی کینگ مکس مدل SIV32 با ظرفیت 512 گیگابایت