سازنده

ام اس آی
پی ان وای
هایکسمی
سامسونگ

سازنده

ام اس آی
پی ان وای
هایکسمی
سامسونگ

سازنده

ام اس آی
پی ان وای
هایکسمی
سامسونگ

سازنده

ام اس آی
پی ان وای
هایکسمی
سامسونگ

مشخصات کلی

ابعاد

2.15 × 22 × 80 میلی‌ متر
-6.8 × 69.8 × 100 میلی متر
-

فرم فاکتور

M.2
M.2
2.5 اینچ
M.2

نوع رابط

PCIe 4.0
PCIe Gen3x4
SATA 3.0
PCIe® 4.0 x4 / 5.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
500 گیگابایت
256 گیگابایت
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

3300 مگابایت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
460 ~ 510 مگابایت بر ثانیه
5000 مگابیت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

3000 مگابایت بر ثانیه
1750 مگابایت برثانیه
460 ~ 360 مگابایت بر ثانیه
4200 مگابیت بر ثانیه

کنترل کننده

PHISON E19T
--In-House Controller

پشتیبانی از RAID

پشتیبانی از TRIM

قابلیت پشتیبانی از NCQ

سایر مشخصات

TBW : 1200
پشتیبانی از 3D NAND
-پشتیبانی از 3D NAND
میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت
Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه