مقایسه کالاها

ظرفیت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	-	4200 مگابیت بر ثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر ضربه	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	پشتیبانی از NVMe 1.4 مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی ای دیتا مدل لجند 850 لایت با ظرفیت 500 گیگابایت