مقایسه کالاها

ظرفیت	500 گیگابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	7200 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	-	4200 مگابیت بر ثانیه	6200 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
پشتیبانی از RAID				-
پشتیبانی از TRIM				-
قابلیت پشتیبانی از NCQ				-
سایر مشخصات	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	ترابایت نوشته شده : 700TBW خواندن تصادفی : 650K(IOPS) سازگار با سیستم عامل : Windows ، Linux شوک : 1,500G/0.5ms لرزش : 80Hz~2,000Hz/20G نوشتن تصادفی : 650K (IOPS)

حافظه اس اس دی ای دیتا مدل لجند 850 لایت با ظرفیت 500 گیگابایت