مقایسه کالاها

ظرفیت	512 گیگابایت	512 گیگابایت	500 گیگابایت	250 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2400 مگابایت برثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	-	مقاوم در برابر ضربه	مقاوم در برابر ضربه
کنترل کننده	SMI SM2269XT	RTS5766DL	-	Samsung MKX
پشتیبانی از RAID		-
پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
سایر مشخصات	مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	TBW : 520TB مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	حداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (450TB : (TBW مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی ای دیتا مدل لجند 850 با ظرفیت 512 گیگابایت