مقایسه کالاها

ظرفیت	512 گیگابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4500 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	-	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
کنترل کننده	SMI SM2269XT	-	In-House Controller	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	TBW : 1120TB پشتیبانی از 3D NAND مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی ای دیتا مدل لجند 850 با ظرفیت 512 گیگابایت