مقایسه کالاها

ظرفیت	512 گیگابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت	250 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4500 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر ضربه	-	-	مقاوم در برابر ضربه
کنترل کننده	SMI SM2269XT	-	In-House Controller	Samsung MKX
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND	TBW : 1120TB پشتیبانی از 3D NAND مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی ای دیتا مدل لجند 850 با ظرفیت 512 گیگابایت