سازنده | سامسونگ | پی ان وای | سامسونگ | ای دیتا |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | سامسونگ | ای دیتا |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | سامسونگ | ای دیتا |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | سامسونگ | ای دیتا |
مشخصات کلی
ابعاد | 8.2 × 24.3 × 80 میلی متر | - | 8.2 × 24.3 × 80 میلی متر | 7 × 69.85 × 100.45 ميلي‌متر |
وزن | 28 گرم | - | 28 گرم | 47.5 گرم |
فرم فاکتور | M.2 | M.2 | M.2 | 2.5 اینچ |
نوع رابط | PCIe Gen 4 x 4 | PCIe Gen3x4 | PCIe Gen4x4 | SATA 3.0 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 1 ترابایت | 500 گیگابایت | 1 ترابایت | 480 گيگابايت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 7450 مگابایت بر ثانیه | 2200 مگابایت بر ثانیه | 7450 مگابایت بر ثانیه | 520 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 6900 مگابایت بر ثانیه | 1750 مگابایت برثانیه | 6900 مگابایت بر ثانیه | 450 مگابایت بر ثانیه |
کنترل کننده | Samsung in-house Controller | - | Samsung in-house Controller | - |
پشتیبانی از RAID | ||||
پشتیبانی از TRIM | ||||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ||||
سایر مشخصات | با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION)پشتیبانی از S.M.A.R.Tمیانگین توان مصرفی : 7.8 واتمیزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms | - | با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION)پشتیبانی از S.M.A.R.Tمیانگین توان مصرفی : 7.8 واتمیزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms | افزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLCحداکثر ظرفیت ترابایت نوشته شده (800TB : (TBWدارای تکنولوژی S.M.A.R.Tمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5msنوع فلش : 3D NAND |
