سازنده | سامسونگ | وسترن دیجیتال | سامسونگ | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | وسترن دیجیتال | سامسونگ | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | وسترن دیجیتال | سامسونگ | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | وسترن دیجیتال | سامسونگ | ام اس آی |
مشخصات کلی
ابعاد | 8.2 × 24.3 × 80 میلی متر | 2.2 × 22.1 × 80.1 میلی متر | - | 2.15 × 22 × 80 میلی متر |
وزن | 28 گرم | 8.5 گرم | - | - |
فرم فاکتور | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 |
نوع رابط | PCIe Gen 4 x 4 | PCI-Express 3.0x4 | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 | PCIe Gen3x4 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 1 ترابایت | 1 ترابایت | 1 ترابایت | 1 ترابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 7450 مگابایت بر ثانیه | 3200 مگابایت بر ثانیه | 5000 مگابیت بر ثانیه | 2350 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 6900 مگابایت بر ثانیه | 2500 مگابایت بر ثانیه | 4200 مگابیت بر ثانیه | 1700 مگابایت بر ثانیه |
کنترل کننده | Samsung in-house Controller | - | In-House Controller | - |
پشتیبانی از RAID | ||||
پشتیبانی از TRIM | ||||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ||||
سایر مشخصات | با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION)پشتیبانی از S.M.A.R.Tمیانگین توان مصرفی : 7.8 واتمیزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms | - | Samsung V-NAND TLCحافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان) | IDLE POWER PS3 : 30 MWLOW POWER L1.2 : 5 MWترابایت نوشته شده : 240 TBWحداکثر توان عملیاتی : 3.2 واتدارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل)دارای فناوری SMARTسازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1نوع فلش : 3D NAND |
