سازنده | هایکسمی | لکسار | لکسار | سامسونگ |
سازنده | هایکسمی | لکسار | لکسار | سامسونگ |
سازنده | هایکسمی | لکسار | لکسار | سامسونگ |
سازنده | هایکسمی | لکسار | لکسار | سامسونگ |
مشخصات کلی
ابعاد | 6.8 × 69.8 × 100 میلی متر | 2.25 × 22 × 80 میلی متر | 2.25 × 22 × 80 میلی متر | 6.8 × 69.85 × 100 میلی متر |
وزن | 34.4 گرم | 9 گرم | 9 گرم | 45 گرم |
فرم فاکتور | 2.5 اینچ | M.2 | M.2 | 2.5 اینچ |
نوع رابط | SATA 3.0 | PCIe Gen3x4 | PCIe Gen3x4 | SATA 3.0 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 256 گیگابایت | 256 گیگابایت | 512 گیگابایت | 250 گیگابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 460 ~ 510 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه | 560 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 460 ~ 360 مگابایت بر ثانیه | - | - | 530 مگابایت بر ثانیه |
مقاومت ساختار بدنه | مقاوم در برابر شوک و ضربه | مقاوم در برابر ضربهمقاوم در برابر لرزش | مقاوم در برابر ضربه | مقاوم در برابر ضربه |
پشتیبانی از RAID | ||||
پشتیبانی از TRIM | ||||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ||||
سایر مشخصات | پشتیبانی از 3D NANDمیانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت | پشتیبانی از NVMe 1.4حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیهمجهز به حافظه فلش 3 بعدی NANDمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5msمقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G | پشتیبانی از NVMe 1.4مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NANDمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5msمقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G | با قابلیت الگوریتم GCپشتیبانی WWNپشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتیحافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAMدارای فناوری SMARTمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms |
