مقایسه کالاها

ظرفیت	256 گیگابایت	1 ترابایت	500 گیگابایت	256 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	460 ~ 510 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	460 ~ 360 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	1150 مگابایت بر ثانیه	-
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر شوک و ضربه	-	-	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	پشتیبانی از 3D NAND میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل) دارای فناوری SMART سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1 نوع فلش : 3D NAND	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G

حافظه اس اس دی هایکسمی مدل Wave (S) با ظرفیت 256 گیگابایت