سازنده | کِلِو | پی ان وای | سامسونگ | هایکسمی |
سازنده | کِلِو | پی ان وای | سامسونگ | هایکسمی |
سازنده | کِلِو | پی ان وای | سامسونگ | هایکسمی |
سازنده | کِلِو | پی ان وای | سامسونگ | هایکسمی |
مشخصات کلی
ابعاد | 2.5 × 22 × 80 میلی متر | - | - | - |
وزن | 7 گرم | - | - | - |
فرم فاکتور | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 |
نوع رابط | PCIe Gen3x4 | PCIe Gen3x4 | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 | PCIe Gen 4 x 4 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 1 ترابایت | 500 گیگابایت | 1 ترابایت | 1 ترابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 3200 مگابایت بر ثانیه | 2200 مگابایت بر ثانیه | 5000 مگابیت بر ثانیه | 7100MB/s |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 2000 مگابایت بر ثانیه | 1750 مگابایت برثانیه | 4200 مگابیت بر ثانیه | 6350MB/s |
پشتیبانی از RAID | - | |||
پشتیبانی از TRIM | - | |||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | - | |||
سایر مشخصات | 3D NANDافزایش عملکرد با ذخیره سازی پویا SLCدارای تکنولوژی S.M.A.R.Tدارای فناوری SLC Caching | - | Samsung V-NAND TLCحافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان) | پشتیبانی از 3D NANDمیانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت |
