مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	M.2	M.2
نوع رابط	PCIe Gen3x4	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	PCIe Gen3x4

ظرفیت	500 گیگابایت	1 ترابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	3300 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	2350 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	2500 مگابایت بر ثانیه	4200 مگابیت بر ثانیه	-	1700 مگابایت بر ثانیه
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مجهز به حافظه فلش 3 بعدی	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	IDLE POWER PS3 : 30 MW LOW POWER L1.2 : 5 MW ترابایت نوشته شده : 240 TBW حداکثر توان عملیاتی : 3.2 وات دارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل) دارای فناوری SMART سازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1 نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی پی ان وای مدل CS2230 با ظرفیت 500 گیگابایت