مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	256 گیگابایت	1 ترابایت	960GB
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	-	-	400 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	PHISON S11
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	پشتیبانی از NVMe 1.4 مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	IDLE POWER PS3 : 325 MW LOW POWER L1.2: 4.9 MW ترابایت نوشته شده : 500TBW دارای فناوری SMART نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت