مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	256 گیگابایت	256 گیگابایت	500 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	-	450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه مقاوم در برابر لرزش	-	مقاوم در برابر ضربه
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	-
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	پشتیبانی از NVMe 1.4 حداکثر سرعت خواندن 3500 مگابیت بر ثانیه مجهز به حافظه فلش 3 بعدی NAND مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms مقاومت در برابر لرزش : 10~2000 هرتز ، 1.5mm ، 20 G	TBW : 1120TB پشتیبانی از 3D NAND مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه میانگین عمر مفید (MTBF) : 2,000,000 ساعت	پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از V-NAND 3-bit MLC پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت