مقایسه کالاها

ظرفیت	2 ترابایت	500 گیگابایت	512 گیگابایت	250 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	560 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت برثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	530 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه	5400 مگابایت برثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
مقاومت ساختار بدنه	مقاوم در برابر لرزش	مقاوم در برابر ضربه	-	مقاوم در برابر ضربه
کنترل کننده	Samsung MKX	-	-	Samsung MKX
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی‌ ثانیه	پشتیبانی از S.M.A.R.T پشتیبانی از V-NAND 3-bit MLC پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms	TBW : 1,200TB پشتیبانی از 3D NAND شوک : 1,500G/0.5ms میانگین عمر مفید (MTBF) : 1,500,000 ساعت	با قابلیت الگوریتم GC پشتیبانی WWN پشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتی حافظه کش : Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM دارای فناوری SMART مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 870 EVO با ظرفیت 2 ترابایت