سازنده | سامسونگ | پی ان وای | ام اس آی | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | ام اس آی | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | ام اس آی | ام اس آی |
سازنده | سامسونگ | پی ان وای | ام اس آی | ام اس آی |
مشخصات کلی
ابعاد | 6.8 × 69.8 × 100 میلی متر | - | 7 × 69.85 × 100.20 میلی متر | 2.15 × 22 × 80 میلی متر |
وزن | 45 گرم | - | - | - |
فرم فاکتور | 2.5 اینچ | M.2 | 2.5 اینچ | M.2 |
نوع رابط | SATA 3.0 | PCIe Gen3x4 | SATA 3.0 | PCIe Gen3x4 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 2 ترابایت | 500 گیگابایت | 960GB | 1 ترابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 2200 مگابایت بر ثانیه | 500 مگابایت بر ثانیه | 2350 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 1750 مگابایت برثانیه | 400 مگابایت بر ثانیه | 1700 مگابایت بر ثانیه |
مقاومت ساختار بدنه | مقاوم در برابر لرزش | - | - | - |
کنترل کننده | Samsung MKX | - | PHISON S11 | - |
پشتیبانی از RAID | ||||
پشتیبانی از TRIM | ||||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ||||
سایر مشخصات | مقاوم در برابر شوک تا 1500G/0.5 میلی ثانیه | - | IDLE POWER PS3 : 325 MWLOW POWER L1.2: 4.9 MWترابایت نوشته شده : 500TBWدارای فناوری SMARTنوع فلش : 3D NAND | IDLE POWER PS3 : 30 MWLOW POWER L1.2 : 5 MWترابایت نوشته شده : 240 TBWحداکثر توان عملیاتی : 3.2 واتدارای APST (انتقال حالت قدرت مستقل)دارای فناوری SMARTسازگار با : PCIe Gen3 / Gen2 / Gen1نوع فلش : 3D NAND |
