سازنده

سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی
سن دیسک

سازنده

سامسونگ
پی ان وای
ام اس آی
سن دیسک

مشخصات کلی

فرم فاکتور

M.2
M.2
2.5 اینچ
M.2

نوع رابط

PCIe® 4.0 x4 / 5.0
PCIe Gen3x4
SATA 3.0
PCIe Gen 4.0

مشخصات فنی

ظرفیت

1 ترابایت
500 گیگابایت
960GB
1 ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی

5000 مگابیت بر ثانیه
2200 مگابایت بر ثانیه
500 مگابایت بر ثانیه
5150 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی

4200 مگابیت بر ثانیه
1750 مگابایت برثانیه
400 مگابایت بر ثانیه
4000 مگابایت بر ثانیه

کنترل کننده

In-House Controller
-PHISON S11
-

پشتیبانی از RAID

پشتیبانی از TRIM

قابلیت پشتیبانی از NCQ

سایر مشخصات

Samsung V-NAND TLC
حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)
-IDLE POWER PS3 : 325 MW
LOW POWER L1.2: 4.9 MW
ترابایت نوشته شده : 500TBW
دارای فناوری SMART
نوع فلش : 3D NAND
-
bakala-whatsapp-chat-icon
پشتیبانی واتس اپ
0
شما این محصولات را انتخاب کرده اید0

بازگشت به فروشگاه