مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	2.5 اینچ	M.2
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	SATA 3.0	PCIe Gen4 x4

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	960GB	512 گیگابایت
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابیت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	400 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	PHISON S11	SMI SM2269XT
پشتیبانی از RAID
پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از NCQ
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	IDLE POWER PS3 : 325 MW LOW POWER L1.2: 4.9 MW ترابایت نوشته شده : 500TBW دارای فناوری SMART نوع فلش : 3D NAND	مقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت