مقایسه کالاها

فرم فاکتور	M.2	M.2	2.5 اینچ	2.5 اینچ
نوع رابط	PCIe® 4.0 x4 / 5.0	PCIe Gen3x4	SATA 6Gb/s	SATA 3.0

ظرفیت	1 ترابایت	500 گیگابایت	128 گیگابایت	960GB
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی	5000 مگابیت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی	4200 مگابیت بر ثانیه	1750 مگابایت برثانیه	350 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
کنترل کننده	In-House Controller	-	-	PHISON S11
پشتیبانی از RAID			-
پشتیبانی از TRIM			-
قابلیت پشتیبانی از NCQ			-
سایر مشخصات	Samsung V-NAND TLC حافظه کش HMB (بافر حافظه میزبان)	-	پشتیبانی از 3D NAND میزان مقاومت در برابر ضربه : تا 1500G	IDLE POWER PS3 : 325 MW LOW POWER L1.2: 4.9 MW ترابایت نوشته شده : 500TBW دارای فناوری SMART نوع فلش : 3D NAND

حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO با ظرفیت 1 ترابایت