سازنده | ام اس آی | سامسونگ | سامسونگ | هایک سمی |
سازنده | ام اس آی | سامسونگ | سامسونگ | هایک سمی |
سازنده | ام اس آی | سامسونگ | سامسونگ | هایک سمی |
سازنده | ام اس آی | سامسونگ | سامسونگ | هایک سمی |
مشخصات کلی
ابعاد | 2.15 × 22 × 80 میلی متر | 8.2 × 24.3 × 80 میلی متر | 2.38 × 22.1 × 80.1 میلی متر | - |
فرم فاکتور | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 |
نوع رابط | PCIe 4.0 | PCIe Gen 4 x 4 | PCIe Gen3x4 | PCIe 3.0 |
مشخصات فنی
ظرفیت | 1 ترابایت | 1 ترابایت | 500 گیگابایت | 256 گیگابایت |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتيبی | 3300 مگابایت بر ثانیه | 7450 مگابایت بر ثانیه | 2600 مگابایت بر ثانیه | 2280MB/s |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتيبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | 6900 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه | 1800MB/s |
کنترل کننده | PHISON E19T | Samsung in-house Controller | - | - |
پشتیبانی از RAID | - | |||
پشتیبانی از TRIM | - | |||
قابلیت پشتیبانی از NCQ | - | |||
سایر مشخصات | TBW : 1200پشتیبانی از 3D NAND | با قابلیت GC (GARBAGE COLLECTION)پشتیبانی از S.M.A.R.Tمیانگین توان مصرفی : 7.8 واتمیزان مقاومت در برابر شوک : 1500G/0.5ms | پشتیبانی از S.M.A.R.Tپشتیبانی از V-NAND 3-bit MLCپشتیبانی از رمزگذاری AES 256 بیتیمقاومت در برابر ضربه : 1500G/0.5ms | TBW :100TBپشتیبانی از 3D NANDتوان : 1.6W |
